技术的逻辑，让工匠从一开始就直接去走浸润式光刻的方向。 按照光刻机的逻辑，光源的波长越短，就能够生产出制程越小的芯片。 但是又不能无限短，最短的X射线会直接穿过物体，导致无法通过透镜和反射来缩放图纸。 只能在工艺水平大幅度提升后，用在少数有特殊需求的半导体产品上。 常规光源的升级过程，就是不断地寻找无限接近X射线，但是又不能出现X射线现象的光源的过程。 最早的光刻机光源是可见的蓝光，波长是450纳米，实现了微米级的工艺。 在微缩光刻时代，迅速转入不可见的紫外光时代。 波长降低到了365纳米，实现了800纳米到280纳米的工艺。 之后很长的一段时间内，就是在紫外光的范围内，持续不断地缩短波长。 直到波长为193纳米的节点的时候，已经可以用来生产280纳米到65纳米制程芯片了。 如果按照这个方向继续下去，本来应该去寻找波长157纳米的光源，开始生产45纳米及以下的芯片。 但是当时的光源开发公司，在研制波长157纳米的光源时遇到了困难，或者说是瓶颈。 当时的光刻机产业的领头羊尼康在157纳米光源上头铁了很久。 而台积电的林本坚发现了另外一个方向。 光进入水中时会发生折射，光源的波长也会有相应的缩短。 所以193纳米的光穿过一层水之后，就有了等效于134纳米波长光源的效果。 于是，台积电和阿斯麦尔合作，以林本坚提出的方向为目标，研发出了浸润式光刻机。 意思就是泡在水里面光刻。 继续使用193纳米的光源，推动芯片制程从45纳米继续上升，最终的极限做到了7纳米工艺。 直到深入5纳米制程范围的时候，193纳米的深紫外光源才彻底走到了尽头。 半导体产业不得不尝试更换波长13.5纳米的极紫外光源。 所以对于大明而言，当然可以尽快用攻关浸润式光刻技术，但是在新光源的研究上也要不断努力。 另外，前世所有用过的已经成功的路，当然是已经确定可行的路。 前世没有采用的道路，也未必是不可行的。 以现在大明的资源，对于后世出现过其他方案，也可以让工部有选择尝试。 说不定能够实现比原有道路更好的效果呢？ 比如说“同步辐射光源”设施，本身作为一个其他方面的科研设施，其原理使得其能放出各种波长的光。 包括最为接近X光的“极紫外光”。 实际上，历史上早期的光刻机技术验证，也曾经用过同步辐射光源去做研究和验证。 但是同步辐射光源的性质注定了难以商业化。 大明这边也可以尝试，建设大规模的同步辐射光源，在它的基础和原理上讨论，各种光源和光刻的可行性。 同时它也可以继续作为科研设备持续运转。 还有其他的更加具体的细节，比如提升性能的铜导线工艺，提升效率的双件工作台设计等等。 朱靖垣把自己能想到的都依次列举出来，作为自己的不确定的设想。 让工部和半导体司安排人员去做攻关和验证。 在这样的基础上，朱靖垣对工部、半导体司、工匠们提出了更加具体的研发目标。 首先是最重要和最核心的工艺制程和中央处理器。 两年之内完成一微米工艺的普及和量产，同时完成下一代的通用微处理器的开发。 新处理的性能目标是每秒计算次数不低于一千万次。 最好是达到每秒五千万次，也就是接近于386甚至486，或者是第一代PS游戏机的水平。 同时要求，它必须是六十四位微处理器，开发代号也因此直接确定为六十四。 按照朱靖垣的计划，六十四位处理器开发完成之后，将会开始主动向民用市场推广，主动开发更多民用设备。 大明的半导体产业构建方式，与历史上的美利坚完全不同。 美利坚作为一个商业社会，就算是官方主导的项目，通常也是军方出钱出技术，让民间厂商去完成产品开发。 这种模式的优势是非常明显的。 最终产品的类似产品，以及开发过程中产生的技术，能够更快的进入民